企业简介
中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 main business:芯片生产 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 北京市大兴区文昌大道18号.
If you are interested in our products or have any questions, you can give us a message, or contact us directly, we will receive your information, will be the first time in a timely manner contact with you.
中芯国际集成电路制造（北京）有限公司的工商信息
- 110000410172412
- 911103027404017237
- 开业
- 有限责任公司(外国法人独资)
- 2002年07月25日
- 赵海军
- 100000.000000
- 2018年02月09日 至 2052年07月24日
- 北京市工商行政管理局北京经济技术开发区分局
- 2018年02月09日
- 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号
- 半导体(硅片及各类化合物半导体)集成电路芯片的制造、针测及测试、光掩膜制造；与集成电路有关的开发、设计服务、技术服务、测试封装；销售自产产品。（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
中芯国际集成电路制造（北京）有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103187294B | 半导体器件及其制造方法 | 2016.06.22 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明的方法包括在形成金属栅极之前对高k材料层进行倾斜离子注 |
| 2 | CN101643895A | 等离子体反应腔室预处理方法 | 2010.02.10 | 一种等离子体反应腔室预处理方法，利用所述反应腔室对引入其中的基底执行处理操作之前，还包括：将表面具有 |
| 3 | CN102842504B | 半导体器件及其制造方法 | 2016.11.30 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，旨在改善“∑”形嵌入式源区/漏区的性能。在Si衬底中通过干法 |
| 4 | CN101645408A | 焊盘及其形成方法 | 2010.02.10 | 一种焊盘形成方法，包括，在基底上形成介质层；利用包含第一氟碳气体和第二氟碳气体的第一反应气体对所述介 |
| 5 | CN103177996B | 用于处理晶圆的反应装置、静电吸盘和晶圆温度控制方法 | 2017.03.15 | 本发明公开了一种用于处理晶圆的反应装置、静电吸盘和晶圆温度控制方法，涉及半导体工艺技术领域。该静电吸 |
| 6 | CN103187310B | 一种互补结型场效应晶体管c‑JFET器件及其后栅极的制造方法 | 2017.03.15 | 本发明涉及一种互补结型场效应晶体管c‑JFET器件及其后栅极的制造方法。应用后栅极的方法形成c‑JF |
| 7 | CN205562750U | 测试板 | 2016.09.07 | 本实用新型公开了一种测试板。所述测试板用于测试BGA封装芯片，所述测试板包括测试基板和安装在所述测试 |
| 8 | CN103177997B | 用于处理晶圆的反应装置、静电吸盘和晶圆温度控制方法 | 2016.08.31 | 本发明公开了一种用于处理晶圆的反应装置、静电吸盘和晶圆温度控制方法，涉及半导体工艺技术领域。该静电吸 |
| 9 | CN103165664B | 半导体器件和半导体器件制造方法 | 2016.08.24 | 本发明公开了一种半导体器件和半导体器件制造方法。该半导体器件包括：硅衬底，在所述硅衬底中形成有凹槽； |
| 10 | CN205508827U | 自冷却半导体器件结构 | 2016.08.24 | 本实用新型揭示了一种自冷却半导体器件结构，包括：衬底，所述衬底的中形成有一有源区；第一掺杂类型的第一 |
| 11 | CN103187309B | 结型场效应晶体管及其制造方法 | 2016.08.17 | 本发明涉及一种结型场效应晶体管(JFET)及其制造方法。根据本发明的制造结型场效应晶体管的方法包括： |
| 12 | CN103165454B | 半导体器件及其制造方法 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该方法包括：在栅极相反两侧的源区和漏区的上部形成硅化物，其中 |
| 13 | CN104909331B | 一种晶圆选择性键合方法 | 2016.08.17 | 本发明提供一种晶圆选择性键合方法，该方法包括以下步骤：提供一上表面具有非键合区域的器件晶圆和一投影晶 |
| 14 | CN103094325B | 半导体器件及其制造方法 | 2016.08.10 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。根据本发明的一种半导体器件，包括：衬底，其具有有源区；在所述有源区 |
| 15 | CN103137517B | 用于处理晶圆的反应装置、静电吸盘和晶圆温度控制方法 | 2016.08.03 | 本发明公开了一种用于处理晶圆的反应装置、静电吸盘和晶圆温度控制方法，涉及半导体工艺技术领域。该静电吸 |
| 16 | CN103035504B | 化学机械抛光方法和化学机械抛光设备 | 2016.07.06 | 本发明公开了一种化学机械抛光方法和化学机械抛光设备。在抛光台旁边设置了喷射装置。在抛光台上进行化学机 |
| 17 | CN102891176B | 半导体器件及其制造方法 | 2016.06.01 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：在半导体衬底上形成的被图案化的叠层结构，所述叠 |
| 18 | CN102560681B | 测温装置及扩散炉 | 2016.05.25 | 一种测温装置，用于扩散炉中，所述扩散炉包括：温度控制器、腔室及设置于其中用于放置晶圆的晶舟；所述测温 |
| 19 | CN103107192B | 半导体装置及其制造方法 | 2016.05.18 | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。根据本发明的一种半导体装置包括：第一鳍片，由第一半导体材料形成；以 |
| 20 | CN104944361B | 一种MEMS器件的制作方法 | 2016.05.18 | 本发明提供一种MEMS器件的制作方法，至少包括以下步骤：S1：提供一半导体基底，所述半导体基底表面预 |
| 21 | CN103165541B | 芯片与晶片的接合方法以及三维集成半导体器件 | 2016.05.04 | 本发明涉及芯片与晶片的接合方法以及三维集成半导体器件。该方法包括：在芯片背面上设置多个芯片亲水区，各 |
| 22 | CN103187390B | 具有改进排布方式的通孔阵列和具有该阵列的半导体器件 | 2016.04.13 | 本发明提供了一种具有改进排布方式的通孔阵列和具有该阵列的半导体器件。该通孔排布对在现有技术中的易于产 |
| 23 | CN102820335B | 半导体器件及其制造方法 | 2016.04.13 | 公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括栅极，以及栅极两侧源区和漏区，其中栅极绝缘层位于沟 |
| 24 | CN103187259B | 一种互补结型场效应晶体管c-JFET器件及其后栅极的制造方法 | 2016.04.13 | 本发明涉及一种互补结型场效应晶体管c-JFET器件及其后栅极的制造方法。应用后栅极的方法形成c-JF |
| 25 | CN103107187B | 半导体装置的制造方法 | 2016.04.13 | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。根据本发明的一种半导体装置包括：第一鳍片，包括由第一半导体材料形成 |
| 26 | CN102956459B | 半导体器件及其制造方法 | 2016.04.13 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件的制造方法包括以下步骤：提供半导体器件的衬底 |
| 27 | CN102810481B | 半导体器件的制造方法 | 2016.03.30 | 本公开实施例提供了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极，栅极上形成有顶部掩模层；形成位于所 |
| 28 | CN103066199B | 一种新型的磁隧穿结器件及其制造方法 | 2016.03.30 | 本发明涉及一种新型的磁隧穿结器件及其制造方法。利用大马士革工艺制造磁隧穿结器件，从而在绝缘层的开口内 |
| 29 | CN102956494B | 半导体装置及其制造方法 | 2016.03.30 | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。根据本发明的半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括P沟道半导体器 |
| 30 | CN102891175B | 半导体器件及其制造方法 | 2016.03.16 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：位于衬底上的栅极结构，位于所述栅极结构两侧的含 |
| 31 | CN103022347B | 半导体器件及其制造方法 | 2016.03.09 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件包括：嵌于绝缘材料中的第一相变材料岛；以及与 |
| 32 | CN102891177B | 半导体器件及其制造方法 | 2016.03.02 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：在半导体衬底上形成的被图案化的叠层结构，所述叠 |
| 33 | CN103187243B | 半导体器件的制造方法 | 2016.03.02 | 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，包括：利用定向自组装材料在第一导电材料层上形成具有孔的第一掩模， |
| 34 | CN103000517B | 半导体器件及其制造方法 | 2016.02.10 | 公开了一种半导体器件及其制造方法。该方法利用半导体层上形成的图案化的硬掩模层对半导体层进行蚀刻，从而 |
| 35 | CN103137490B | 半导体器件及其制造方法 | 2016.02.03 | 公开了一种半导体器件及其制造方法。该方法利用固相外延(SPE)工艺形成源漏区，从而能够容易地应用于局 |
| 36 | CN205015612U | 喷吐装置 | 2016.02.03 | 本实用新型提供了一种喷吐装置，包括用于输送试剂的横臂、与所述横臂连接用于向待清洗基板喷吐试剂的喷嘴主 |
| 37 | CN204991152U | 静态随机存储器 | 2016.01.20 | 本实用新型的静态随机存储器，包括字线、第一位线、第二位线、第一单元、第二单元以及第三单元，第一单元、 |
| 38 | CN103187391B | 半导体器件及其制造方法 | 2016.01.06 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据该方法，在石墨烯层上形成蛋白质管和贯穿该蛋白质管的导线， |
| 39 | CN103137686B | 半导体器件及其制造方法 | 2016.01.06 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。根据本发明的鳍片式半导体器件，包括：在衬底上形成的鳍片，所述鳍片具 |
| 40 | CN103184432B | 注入装置及处理设备 | 2016.01.06 | 本发明涉及注入装置以及包括该注入装置的处理设备。根据本发明的注入装置包括注入板，所述注入板具有多个喷 |
| 41 | CN102810480B | 半导体器件的制造方法 | 2016.01.06 | 本公开实施例提供了一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成栅极，栅极上形成有顶部掩模层；形 |
| 42 | CN204925328U | 放电检测电路 | 2015.12.30 | 本实用新型提供了一种放电检测电路，包括电平比较单元和脉冲输出单元，通过电平比较单元对电流监控输出端的 |
| 43 | CN102881591B | 半导体器件的制造方法 | 2015.12.16 | 本公开实施例提供了一种半导体器件制造方法。首先，通过干法刻蚀处理，在衬底中形成截面为大体矩形的凹槽。 |
| 44 | CN102983065B | 图案、掩模图案形成方法和半导体器件制造方法 | 2015.12.16 | 本发明公开一种图案形成方法、掩模图案形成方法和半导体器件制造方法，涉及半导体工艺技术领域。该图案形成 |
| 45 | CN101645414A | 双镶嵌结构形成方法 | 2010.02.10 | 一种双镶嵌结构形成方法，包括：在基底上形成介质层及贯穿所述介质层的通孔；形成覆盖所述介质层并填充所述 |
| 46 | CN101644888A | 曝光方法、掩模版和掩模版设计方法 | 2010.02.10 | 一种曝光方法，包括：提供基底，所述基底的表面具有膜层，所述膜层具有至少一个分离的同时曝光区域，每一所 |
| 47 | CN101645409A | 焊盘形成方法 | 2010.02.10 | 一种焊盘形成方法，包括，在基底上形成介质层和贯穿所述介质层的接触孔；形成覆盖所述介质层并填充所述接触 |
| 48 | CN204885161U | 静电保护器件 | 2015.12.16 | 本实用新型揭示了一种静电保护器件，所述静电保护器件包括一个栅极接地的NMOS晶体管和两个分别位于所述 |
| 49 | CN204847847U | 天车运行轨道和天车系统 | 2015.12.09 | 本实用新型提供了一种天车运行轨道和天车系统，所述天车运行轨道包括主要运行轨道和设置于主要运行轨道一侧 |
| 50 | CN204842386U | 管路粉尘清洁器 | 2015.12.09 | 本实用新型提供一种管路粉尘清洁器，包括：基座，所述基座内部形成有一收容空间，顶部具有第一开口，底部具 |
新闻中心
该公司还没有发布任何新闻
行业动态
该公司还没有发表行业动态
企业资质
该公司还没有上传企业资质
Map(The red dot in the figure below is 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 at the specific location, the map can drag, double zoom)
Tips: This site is 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 at mass public network free website, if you are the person in charge of the unit, please click here application personalized two after landing and update your business domain data, you can delete all of your unit page ads, all operations free of charge.
猜你喜欢